图43-1 磁阻效应

　 实验证明，当金属或半导体处于较弱磁场中时，磁阻传感器电阻相对变化率△R/R(0)正比于磁感应强度B的二次方，而在强磁场中△R/R(0)与磁感应强度B呈线性函数关系。磁阻传感器的上述特性在物理学和电子学方面有着重要应用。

　　如果半导体材料磁阻传感器处于角频率为ω的弱正弦波交流磁场中，由于磁电阻相对变化量 △R/R(0)正比于B2，那么磁阻传感器的电阻 R 将随角频率 2ω作周期性变化。

图 43-2 测量磁电阻实验装置

若外界交流磁场的磁感应强度 B为：　

　　　　　　　B=B0cosωt (43-1)

(43-1)式中，B0为磁感应强度的振幅，为角频率，t为时间。

设在弱磁场中

ΔR/R(0)=KB2 (43-2)

(43-2)式中， K为常量。由（43-1）式和（43-2）式可得